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单晶硅表面划痕损伤层厚度的检测方法

954   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 07:13:10
一种单晶硅表面划痕损伤层厚度的检测方法，其步骤是：A、在化学机械抛光法抛光后的单晶硅晶圆上切取出单晶硅样品，对其使用原子力显微镜进行扫描，得到单晶硅样品表面的三维形貌，并测出其中的凹陷深度；B、将单晶硅样品放置于质量分数为15-25％的HF溶液中刻蚀20-40分钟，取出单晶硅样品并用丙酮和酒精依次清洗，再使用原子力显微镜进行扫描，得到刻蚀后的单晶硅样品表面三维形貌，并测出其中的凹陷深度；C、将B步得到的凹陷深度与A步的对应位置处的凹陷深度相减，得到刻蚀后凹陷深度增加值即为单晶硅表面划痕损伤层厚度。该方法的制样、检测过程简单，检测时间短、所需样本材料小、检测成本低，检测结果精确、直观。
声明：
“单晶硅表面划痕损伤层厚度的检测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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