本发明涉及一种辐射检测器,在辐射线感应型的半导体层、载流子选择性的高阻抗膜及共用电极的露出面上与硬化性合成树脂膜之间具有绝缘的非胺系的壁垒层。能够由该壁垒层进一步抑制半导体层和硬化性合成树脂膜的化学反应,能够防止流经半导体层的暗电流的增加。另外,由于壁垒层和半导体层不发生化学反应,所以也不会使半导体层劣化。另外,通过在硬化性合成树脂膜的上表面设有辅助板,从而能够制造不产生因温度变化引起的翘曲和龟裂的辐射检测器。
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