本发明公开了一种化学掺杂碳制备高阻值埋嵌式电阻的方法。通过采用阻值添加剂提供C源掺杂Ni‑P薄膜进行化学改性,制备了在树脂基板上沉积Ni‑P‑C的三元合金高阻值材料。经测试,该材料制备的方块电阻高达400Ω以上,通过辅予在线监控电阻器的方法,实现制备误差控制在10%以内的目标。本发明公开的方法有效地解决了常规Ni‑P、Ni‑Cr等金属电阻存在的阻值小、功能值不稳定的难题,并降低了高频通信下信号传输的损耗与寄生效应。
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