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化合物半导体化学抛光腐蚀液

640   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:02:25
本发明提供一种用于化合物半导体器件的化学 抛光腐蚀液,该腐蚀溶液是选择双氧水为氧化剂,盐 酸为络合剂,按体积比为HCl∶H2O2=(2~6)∶1 配制的混合溶液,CdTe、GaAs化合物半导体器件经 过这种腐蚀溶液化学抛光,都能制备出性能优良的核 辐射探测器。使用该腐蚀液对环境无污染、操作简 单,用去离子水可直接淬灭,因此成本低,有广泛推广 应用价值。
声明:
“化合物半导体化学抛光腐蚀液” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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