本发明提供一种用于化合物半导体器件的化学 抛光腐蚀液,该腐蚀溶液是选择双氧水为氧化剂,盐 酸为络合剂,按体积比为HCl∶H2O2=(2~6)∶1 配制的混合溶液,CdTe、GaAs化合物半导体器件经 过这种腐蚀溶液化学抛光,都能制备出性能优良的核 辐射探测器。使用该腐蚀液对环境无污染、操作简 单,用去离子水可直接淬灭,因此成本低,有广泛推广 应用价值。
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