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基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器及制备方法

719   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:02:25
本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器,在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构,通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极,形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG),吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度,通过器件漏源电流的变化,从而实现对多种极性溶剂的探测。
声明:
“基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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