本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器,在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构,通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极,形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG),吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度,通过器件漏源电流的变化,从而实现对多种极性溶剂的探测。
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