合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 化学分析技术

> 化学机械抛光的方法

化学机械抛光的方法

821   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:01:14
在用于微电子制造的化学机械抛光(CMP)过程中,可以提出在晶片表面和抛光垫之间的三个接触方式:直接接触、混合或部分接触、以及液面滑动。但是,表征晶片/垫板接触的有效的现场用的方法和把接触状态与过程参数相联系的系统方法还很缺乏。在本工作中,利用由晶片支架上的载荷传感器测量的表面间摩擦力来表征接触状态。制定了把摩擦系数与作用压力、相对速度和浆液粘度相联系的模型,并且用实验作了验证。此外,建立了摩擦系数和材料去除率(MRR)之间的关系,研究了过程参数对Preston常数的影响。
声明:
“化学机械抛光的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
化学分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记