本发明涉及一种偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱及其制备方法,属于
半导体材料技术领域。该Mg掺杂ZnO纳米柱的化学结构组成为Mg
xZnO;其中,0.7≤x≤0.9。其制备方法主要包括以下步骤配制纳米柱前驱溶液和制备Mg掺杂ZnO纳米柱,在配制纳米柱前驱溶液过程中Zn
2+/Mg
2+/pH值缓冲剂三者的摩尔比为1:x:1,其中x是化学计量比的偏离值,其在0.7≤x≤0.9的限值范围内。本发明偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱制备方法简单,成本低,溶液组分易调控,可重复性强,适用于大面积商业化生产制造,制成的Mg掺杂ZnO纳米柱具有强光散射性能,在
太阳能电池及光探测器件等领域有重要应用前景。
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