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偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱及其制备方法

839   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:01:14
本发明涉及一种偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱及其制备方法,属于半导体材料技术领域。该Mg掺杂ZnO纳米柱的化学结构组成为MgxZnO;其中,0.7≤x≤0.9。其制备方法主要包括以下步骤配制纳米柱前驱溶液和制备Mg掺杂ZnO纳米柱,在配制纳米柱前驱溶液过程中Zn2+/Mg2+/pH值缓冲剂三者的摩尔比为1:x:1,其中x是化学计量比的偏离值,其在0.7≤x≤0.9的限值范围内。本发明偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱制备方法简单,成本低,溶液组分易调控,可重复性强,适用于大面积商业化生产制造,制成的Mg掺杂ZnO纳米柱具有强光散射性能,在太阳能电池及光探测器件等领域有重要应用前景。
声明:
“偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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