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在CMOS标准工艺下的生物化学传感器

862   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 07:00:46
本发明公开了一种在CMOS标准工艺下的生物化学传感器,包括底座、离子敏感场效应晶体管、金属层、接触层、电极;离子敏感场效应晶体管设置在底座上;晶体管包括在CMOS多晶硅层形成的多晶硅沟道,多晶硅沟道两端分别连接源极和漏极,源极和漏极再通过接触层与金属层连接;多晶硅沟道的多晶硅沟道区域暴露出来接触电解质溶液;电极接触电解质溶液,为多晶硅沟道提供栅极电压。本发明的多晶硅传感器具有很高的灵敏度,采用CMOS工艺大幅提高传感器的重复性,降低了器件误差,降低生产成本。本发明的微型传感器很适合环境物联网,农业物联网,及生物检测等广泛应用。
声明:
“在CMOS标准工艺下的生物化学传感器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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