本发明实施例涉及化学机械抛光设备和方法。一种CMP设备包含压板、在抛光操作期间保持半导体晶片的晶片载体、在所述抛光操作期间保持被配置成修复安置于所述压板上的抛光垫的修整机,以及被配置成在所述抛光操作期间检测振动的振动监视系统。所述振动监视系统包含被配置成产生多个第一振动信号的第一振动传感器。当所述多个振动信号之间的改变达到某一值时,触发针对所述抛光的终点。
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