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去除速率和平坦化改善的化学机械抛光垫

901   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:56:02
本发明提供一种用于抛光三维半导体或存储器衬底的化学机械(CMP)抛光垫,所述抛光垫包含热固性反应混合物的聚氨酯反应产物的抛光层,所述热固性反应混合物具有固化剂4,4′‑亚甲基双(3‑氯‑2,6‑二乙基苯胺)(MCDEA)或MCDEA与4,4′‑亚甲基‑双‑邻‑(2‑氯苯胺)(MbOCA)的混合物,和聚异氰酸酯预聚物,所述预聚物由以下形成且具有8.6至11wt.%的未反应异氰酸酯(NCO)浓度:一种或两种芳香族二异氰酸酯,如甲苯二异氰酸酯(TDI),或芳香族二异氰酸酯与脂环族二异氰酸酯的混合物,和聚四亚甲基醚二醇(PTMEG)、聚丙二醇(PPG)的多元醇,或PTMEG与PPG的多元醇掺合物。所述抛光层中的所述聚氨酯根据ASTM D2240‑15(2015)具有50至90的肖氏D硬度、在65℃具有70至500MPa的剪切存储模量(G′),且在50℃具有0.06至0.13的阻尼分量(G″/G′,通过剪切动态力学分析(DMA)所测量,ASTM D5279‑08(2008))。
声明:
“去除速率和平坦化改善的化学机械抛光垫” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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