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基于氧化铟/硫化铟/硫铟镉自供能光电化学传感器的制备方法

750   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:55:29
本发明公开了一种基于In2O3/In2S3/CdIn2S4异质结构的自供能光电化学免疫传感器的制备方法及应用。本发明一方面利用In2O3/In2S3/CdIn2S4异质结构为光电阳极基底材料提供稳定的光电流,In2O3、In2S3和CdIn2S4匹配的能带结构以及独特的空心多孔结构使得In2O3/In2S3/CdIn2S4异质结构具有良好的光电响应。另一方面,利用具有优异导电性的聚多巴胺/碳纳米管复合材料为生物阴极,多巴胺与生物分子之间很容易发生Michael加成反应,为无机半导体纳米材料与生物分子的连接提供了基础,提高了传感器的稳定性和灵敏度。本发明构建的自供能光电化学自供能传感器具有较宽的检测范围,较高的灵敏度和较低的检出限,对非小细胞肺癌标志物细胞角蛋白19片段CYFRA 21‑1的检测具有重要意义。
声明:
“基于氧化铟/硫化铟/硫铟镉自供能光电化学传感器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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