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分析β‑SiC过渡层对金刚石膜形核生长影响的方法

715   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:50:37
本发明公开了一种分析β‑SiC过渡层对金刚石膜形核生长影响的方法。所述方法采用中频磁控溅射技术在硬质合金基体上沉积SiC过渡层,通过对沉积温度的调控,获得不同表面形貌和组织特性的β‑SiC过渡层;利用热丝化学气相沉积在SiC过渡层表面沉积金刚石薄膜;利用扫描电镜观察样品的表面形貌,利用X射线衍射检测过渡层的组成、晶粒取向及结构变化,利用拉曼光谱表征金刚石薄膜的纯度和内应力的变化,利用微米压痕测试金刚石薄膜的机械性能。所述方法通过研究沉积温度对磁控溅射β‑SiC过渡层表面形貌和组织特性的影响,低温沉积β‑SiC过渡层表面形貌和组织特性对金刚石薄膜形核及生长的影响,揭示了β‑SiC过渡层影响金刚石形核及生长的作用机理。
声明:
“分析β‑SiC过渡层对金刚石膜形核生长影响的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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