本发明实施例提供了一种硅片缺陷的分析方法及装置,所述硅片缺陷的分析方法包括:对待检测硅片表面的预设区域进行粒度分布检测,确定所述预设区域内所存在的候选缺陷以及所述候选缺陷的位置信息;根据所述候选缺陷的位置信息,对待检测硅片的表面进行扫描,从所述预设区域内的所有候选缺陷中筛选出目标缺陷;对所述目标缺陷进行能谱分析,确定所述目标缺陷中的杂质元素的含量。本发明实施例的分析方法可以对纳米级别的缺陷多方位的评估和检测,不需任何化学处理和抽真空操作,具有安全,快速和可控性高等优点,对于纳米级别的缺陷多方位的评估具有很大的意义。
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