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在化学机械抛光中用于终点探测的现场方法和设备

918   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 06:50:32
证明了一种在化学机械抛光期间在半导体晶片或基片上在局部区域中用来提供材料去除的现场监视的方法和设备。具体地说,本发明的方法和设备保证探测在晶片表面上在某些局部区域或区内在不同材料之间的反射(134)的差别。反射的差别(150)用来指示在某些局部区域每个中材料去除的速率或进展(152)。
声明:
“在化学机械抛光中用于终点探测的现场方法和设备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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