本发明公开了一种检测HE4的光
电化学免疫传感器及其制备方法和应用,该光电化学免疫传感器由由Nb2共价结合到MWCNTs‑PDA‑AuNPs修饰后的基底电极上,HE4抗原与Nb2特异性结合,Nb3@nPCN‑224与HE4抗原特异性结合制得。本发明利用光电化学免疫法提高了传感器的抗干扰性,同时使用的光活性物质nPCN‑224具有很好的生物相容性,可以负载大量的生物分子,还具有很强的光电活性,以此来提高传感器的灵敏度。本发明制备的光电免疫传感器,操作简单,反应迅速,灵敏度高,抗干扰性强,稳定性佳,能够实现对于痕量抗原HE4的检测,为开发出用于临床诊断的优异平台提供了新思路。
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