本发明公开了一种锆钛酸铅铁电薄膜光电极及其制备方法,所述光电极包括导电基底、锆钛酸铅薄膜以及二者之间的金膜,该电极在1.0V(vs.Ag/AgCl)的电压条件下光电流密度可达200μA/cm
2。其制备方法为:将基底清洗后蒸镀金膜,在金膜上旋涂锆钛酸铅膜,经退火、煅烧和封装即得所述电极,制备工艺简单,成本低,所得的薄膜均匀性好,具有良好的可见光吸收性能,且稳定性和光电转换效率较之前的工艺也有明显提高。
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