本发明公开了一种用于工业废水的COD降解处理方法及系统，涉及废水处理领域，包括：将工业废水引入微电解单元，实时监测进水水质参数，根据进水水质参数结合预设优化算法模型，动态设定微电解单元的pH值，得到预处理出水；将预处理出水引入非均相芬顿处理单元，在预处理出水中投加过氧化氢与铁碳复合非均相芬顿催化剂，基于实时监测数据动态控制氧化过程，得到氧化出水；在氧化出水中投加药剂并基于实时监测数据智能控制絮凝与排泥过程，实现固液分离，得到净化出水。

一种复合弥散处理悬浮液球磨法制备Cu‑TiB2‑Zr的方法，包括如下步骤：（1）粉末预处理；（2）煅烧还原；（3）放电等离子烧结。本发明加入第二相Zr抑制了烧结过程中纳米级TiB2的团聚长大现象，通过二者之间的共强化机制进一步提升了性能；本发明以悬浮液的形式代替粉末进行机械合金化，引入去离子水作为过程控制剂，降低表面活性，采用聚丙烯酸铵作为分散剂，削弱粉体聚集成团的能力，加快球磨进程，使第二相均匀弥散地分布在基体中；

本发明公开了一种厚铜PCB的预蚀刻层压一体化防焊制作工艺，涉及厚铜PCB制造技术领域，依次包括四个步骤：测量外层导体峰谷高度并与干膜阻焊膜厚度匹配，超窗时先对外层铜预蚀刻并与半固化片压合后复测，再进行清洁粗化与干燥；铺设干膜阻焊膜并在板边离散预固定，同时在周边非图形区布置可压缩周边排气导流框；在真空层压腔体抽气后实施多次加压与缓释的动态贴合并继之静态保压；在保压状态下受控回压至不高于环境大气压并降温卸载，随后曝光、显影与固化成形；

本发明金属材料热处理技术领域，具体为一种40CrNi2MoE棒料热处理工艺，属于金属材料热处理技术领域。该工艺旨在解决现有技术中40CrNi2MoE棒料热处理后硬度控制不准、综合力学性能难以满足要求的问题。工艺包括淬火和回火两步：选取符合YJ0420标准的热轧退火磨光态棒料，经850℃加热保温2h后油冷淬火；淬火后4h内根据目标硬度，在420℃～680℃区间选择对应回火温度，保温2h～4h后空冷。其中，HRC=40～45对应420℃～460℃回火，HRC=35～40对应480℃～540℃回火，HRC=30～35对应560℃～620℃回火，HRC≤30对应640℃～680℃回火。

本发明属于粉末冶金材料技术领域，特别是涉及一种制备WC‑(Ti,W)C‑Co超粗硬质合金的方法，具体的，将WO3、TiO2、TiC和C粉按特定化学计量比混合球磨后干燥，制备超粗WO3‑TiO2‑TiC‑C复合粉末，将超粗WC粉、Co粉、WO3‑TiO2‑TiC‑C复合粉末进行球磨混料，将所得产物压制成型后置于脱脂加压烧结一体炉中进行分段烧结，得到WC‑(Ti,W)C‑Co超粗硬质合金，本发明解决了现有技术中存在的制备WC‑(Ti,W) C‑Co超粗晶硬质合金时，难以平衡TiC分散均匀性、核壳结构及界面残余应力的控制与超粗晶粒保留，无法兼顾合金关键性能的技术问题。

本发明属于钛合金材料加工技术领域，涉及一种基于高纯净海绵钛的高强、高断裂韧性TC11钛合金锻件的制备方法及应用。本发明采用铸锭制备‑开坯锻造‑中间锻造‑两相区改锻‑预成形‑成品锻造‑双重退火的全流程工艺路线。以AAA级高纯净海绵钛为原料并精准调控中间合金中Fe、O等杂质元素的含量，通过洁净熔炼抑制脆性相萌生。利用大变形结合锻后水冷的单相区锻造，配合特定温度区间的两相区多向锻造及近β锻造工艺的成品锻造，辅以高低温双重退火处理，使坯料得到充分、均匀的塑性变形，又能实现合金微观组织的精确调控。

本发明公开了一种Ni微合金化形成核壳结构的高热稳定性Cu‑Zr合金及其制备方法，属于有色金属材料技术领域。合金按重量百分比计组成为：Zr:0.18~0.23%，Ni:0.30~0.50%，余量为Cu及不可避免的杂质；其制备方法包括：真空熔铸、固溶处理、热挤压、大变形量冷拉拔和时效处理。本发明通过Ni元素的微合金化与合适的冷变形‑时效工艺，在铜基体中形成一种以Cu₅Zr相为核、以富Ni原子层为壳的纳米级核壳结构析出相。

本发明属于高性能金属基复合材料技术领域，特别涉及一种具有耐高温低热膨胀效应的连续SiC纤维增强钛铝基复合材料紧固件及其制备方法。该紧固件包括外部包套和内部复合材料芯，外部包套采用钛铝系金属间化合物，内部复合材料芯为连续SiC纤维增强钛铝系金属间化合物基复合材料，纤维表面设有富碳涂层，基体具有α+β型钛合金梯度层。制备方法包括先驱丝制备、预制体封装、热等静压致密化及低损伤精密加工步骤。

本发明公开了矿山选矿厂工业控制硬件技术领域的一种基于RISC‑V边缘NPU的一体化智能水泵控制硬件控制器，包括：控制器包括：核心控制硬件单元，内置RISC‑V处理器与2TOPS INT8硬件NPU单元；多通道传感采集硬件，集成8路IEPE振动采集电路、三相电气采集电路及16路温度采集电路；无线通讯硬件模组，包括LoRa射频芯片与4G全网通模组；执行驱动硬件电路，具有16路继电器输出及阀门控制接口；工业电源硬件模块，支持9~36VDC宽压输入并内置硬件保护电路。整机采用金属外壳、导轨/壁挂安装，防护等级IP40，工作温度‑40℃~85℃。