有奖征图
目前，膜的重要作用正广为大家所认知，深圳拓扑精膜科技有限公司()为了满足广大用户对AAO模板、AAO滤膜、单通AAO模板、双通AAO模板以及其它定制类产品的需求，充分调动和鼓励用户对产品本身以及产品应用的兴趣，公司将不断完善各类AAO产品的进一步研发生产，提供高性能的产品服务大家！
现面向广大AAO产品用户，征集实验图例方案，并将征集办法公告如下：
一、征集要求
1.凡是使用AAO相关产品所取得的图片均满足要求（包括AAO材料本身以及用AAO产品制备的任何材料所得到的图片）；
2.图片可以是光学图、SEM图、AFM图等表现形式；
3.图片的提供者不限于公司客户，所有用户均可参赛；
二、征集方式
1.征集时间：自公布之日起至2017年9月30日止。
2.征集内容：AAO膜实验电子版图例（JPG格式，并附100字左右文字说明）发送至邮箱： nano@topme***********
3.来稿须注明联系电话、公司或高校名称、联系人姓名（以备获奖联系）。
邮件格式：
标题：AAO参赛图
内容：姓名——公司或高校名称——联系电话
描述：100字左右
图片附件。
三、奖项设置
1.本期征集为**期，本期征集活动设**图片奖1名，奖品为高档空气净化器1台；
2.所有成功参赛者均可在下次订购产品或9折优惠。
四、其它事宜
1.所有征集作品设计版权归作者所有，应征作品必须是作者自己研究所得，不得拷贝；
本次征集作品由“深圳拓扑精膜科技有限公司”组织相关技术专家组成评审组进行评审，评审组将于2017年10月15日前完成评审，并通知获奖作品的作者。
超薄AAO模板
超薄AAO（Anodic Aluminum Oxide）模板为双通结构，厚度仅为几十到几百纳米，广泛应用于纳米点阵列、纳米线阵列等的制备以及衬底表面图案化处理等。超薄AAO模板孔径均一，孔排列短程有序，
氧化铝的材质使其在可见光波段是透明的，而且是电绝缘的。相对于其它图形化纳米结构制备手段，超薄AAO模板的独特优势在于可以轻易地获得平方厘米的尺度低至十纳米级的结构，而且成本低廉。
图1. （上）超薄AAO模板产品结构示意图；（下）一片较大面积的超薄AAO模板实物图
图2. 小面积超薄AAO模板实物图
超薄AAO模板的一个缺点就是操作困难，这是因为AAO厚度小于1微米时不能自支撑，而且非常脆弱，使用非常不方便。我们将超薄AAO模板表面涂覆一层PMMA作支撑，如图1所示，可以非常方便地取放、裁剪、转移到任意目标衬底之上。较小面积的超薄AAO模板的实物图如图2所示。包装盒内膜的PMMA面为朝下放置。
图3. 超薄AAO模板转移方法示意图
超薄AAO模板一般需要转移到目标衬底之上使用，图3给出了带有PMMA支撑层的超薄AAO的一种转移方法。首先将目标基底清洗干净，**进行亲水处理以使AAO将与基底贴合更加均匀紧密。亲水处理可以采用小功率氧气（或空气）plasma清洗处理，或采用紫外光表面处理机处理。然后将PMMA/AAO剪裁成所需形状和大小放置于衬底之上。采用丙酮中即可除去PMMA支撑层，在此过程中，超薄AAO模板将与衬底贴合。除去PMMA之后，由于超薄AAO很脆弱，请勿碰触AAO超薄膜表面，以免AAO破损。转移操作过程中所有容器及操作台面务必事先清洗干净。关于超薄AAO模板的详细转移操作以及转移技巧请与我们联系。
图4.超薄AAO（左）SEM俯视图和（右）30°视图
图5.（左）转移至硅片表面，（中）转移到载玻片表面，（右）转移到石英玻璃表面
图6. 超薄AAO模板的近距离透光性。(a,b) 孔间距较小的AAO，石英片基底，（c）孔间距450nm，普通玻璃基底
图4为转移到硅基底上的超薄AAO模板的SEM图。图5为转移到硅片、普通玻璃以及石英玻璃表面的超薄AAO模板的实物照片。可以看到超薄与基底贴合紧密，透明度很高。采用类似方法，可以方便地将大面积的超薄AAO转移到Si、蓝宝石、SiC、ZnO、GaN、ITO、FTO、PDMS、PET等其它基底表面。以超薄AAO为掩膜版，可以进行金属或半导体
纳米材料的沉积，从而获得纳米材料点阵，可以以金属纳米点阵为催化剂生长纳米线阵列。可以直接以AAO为掩膜进行基底的刻蚀处理。
如果您不想自己进行超薄膜的转移，我们也提供超薄膜的转移服务，基底由您提供或者使用我们的基底。具体的转移收费标准请与我们的客服联系。 注：如果将PMMA面贴于基底，待PMMA除去后，AAO的正面与基底接触，由于AAO正面孔与孔之间大部分是凸起结构，所以此时AAO与基底的接触面就比较小，与基底的结合变弱，预计AAO在后期可能更加容易用胶带粘掉。 超薄AAO模板在任何情况下都不可以用超声清洗，否则可能会完全破碎。
超薄AAO模板加热到五六百度时可以的，但是如果加热到更高温度，由于膨胀系数等差异，超薄膜可能出现裂纹，所以高温实验需谨慎。
孔中心间距65nm、100nm、125nm的超薄AAO模板是无色的，孔中心间距450nm的超薄膜是淡蓝色的。物理蒸发制备纳米颗粒选取超薄AAO时，一般选取孔直径与膜厚的比例为1:3~1:6。AAO膜如果太薄，则膜在操作过程中容易损坏，而且AAO与基底粘附性可能会太强；如果太厚，材料蒸气到达不了基底，导致沉积失败。AAO结构参数、沉积厚度与得到的纳米颗粒的形状的关系，可以参阅文献：Chem. Mater., 2005, 17, 580-585。
将AAO转移到基底上干燥后，如果想把基底浸没在水溶液中，一般不可以直接将覆盖AAO的基底直接插入水溶液中，因为水溶液的表面张力会作用于AAO膜的边缘，很可能将AAO从基底表面掀起来而漂浮在水溶液的表面，AAO就与基底脱离了。比较保险的方法是将AAO膜的四周边缘密封起来，比如，可以使用PMMA的丙酮溶液涂一圈，等溶剂挥发完以后，PMMA固化，从而保护AAO边缘不与水溶液接触，这样会大大降低AAO与基底脱离的几率。
如果想提高AAO与基底的结合力，可以将AAO与基底都进行很好的亲水处理，请参阅文献Langmuir 2017, 33, 503?509。
利用转移的AAO做
电化学沉积然后制备纳米颗粒，目前可能只有2篇文献有相关报道(Sci. Rep.2016,6,18967和Langmuir 2017, 33, 503?509)，因此风险较高，因为转移AAO与基底毕竟是物理吸附，电化学沉积时体系情况复杂，很可能使AAO与基底之间产生缝隙而导致不能形成颗粒，因此实验设计时需谨慎。
图7. 超薄AAO模板制备的纳米颗粒阵列示例
温馨提示：AAO模板为自下而上的方法制备，属于自组织结构，因此它的孔径都有一定的分布范围，而不是单一值，特别是孔间距450nm的模板不均匀性略大一些。孔的排列为短程有序（微米级），每个有序区域可称为一个“筹”，在筹边界处孔的形状可能大都不是正圆形。超薄膜的孔径分布比双通厚膜以及单通膜宽一些。如果您对多孔膜的孔径均匀程度要求非常高，对孔的圆形程度要求非常高，那么AAO并不是好的选择。
如果需要更详细全面的产品介绍，请您访问我们公司网站（公司网址： ）中超薄膜产品介绍。
孔间距450nm的超薄AAO模板价格为300元/片，产品型号中带有字母C的为140元/片，具体请与客服联系。
满600元包邮。如果要求更快速的快递，请跟客服事先沟通说明。
超薄AAO模板应用举例
1.铁电纳米电容器阵列的制备，应用于高密度信息存储
图1 纳米电容器阵列的制备
制备方法如上图所示。首先将超薄AAO转移到镀有铂（Pt）膜的MgO衬底之上，通过脉冲激光沉积（PLD）法先沉积一层Pb(Zr0.20Ti0.80)O3 （PZT），然后再沉积一层Pt材料，将AAO模板除去后即得到铁电纳米电容阵列。图中（a）为制备流程示意图，（b,c）为AAO模板以及所制备的纳米电容的SEM图。由于AAO的孔密度极高，所以所制备的金属/铁电/金属纳米电容器阵列可达到176 Gb/in2的存储密度。
参考文献：Nature Nanotechnology, 2008, 3, 402.
2.金属/半导体核壳纳米颗粒阵列的制备
图2 半导体纳米点阵的制备
制备方法如上图所示。首先将超薄AAO转移到硅衬底上，沉积金属In之后，除去AAO模板后即得到In纳米颗粒阵列。然后在氧气气氛下经过一定的加热和保温过程，In纳米颗粒表层被氧化，从而得到In/In2O3核壳结构纳米阵列，通过调节结构参数，可以调节阵列的光学性能，有望应用于纳米光学器件当中。
参考文献:Journal of the American Chemical Society, 2005, 127, 1487
3.金属纳米颗粒对阵列的制备
图3 金属纳米颗粒对阵列制备
采用超薄AAO模板可以制备高密度的金属纳米颗粒对阵列，制备流程如上图左图所示，首先将AAO转移到目标衬底，然后经过两次不同的角度沉积，在每一个孔的位置可以制备一对金属纳米颗粒阵列，其SEM图如右上角所示。两次沉积的金属材料可以不同，右下所示为金、银纳米颗粒对的元素分布图。
参考文献：Advanced Materials, 2000, 12, 1031.
4.纳米线阵列的制备
图4 纳米线阵列的生长
有序纳米线阵列通常可以采用预制金属纳米颗粒作为催化剂，然后通过化学气相沉积（CVD）等方法获得，超薄AAO可以作为金属颗粒催化剂制备的模板其流程如上图所示。已有报道的使用该路线的纳米线阵列包括MgO纳米线，ZnO纳米线，GaAs纳米线和
碳纳米管阵列等。
参考文献：RSC Advance, 2012, 2, 10618;Materials Letters, 2015, 154, 40;Applied Physics Letters, 2002, 81, 5177;Chemistry of Materials, 2004; 16, 2757; Applied Physics Letters, 2009, 75, 2047.
5.平整表面上制备纳米凹坑阵列以及纳米柱阵列
图5 基片刻蚀
将超薄AAO模板转移到平整表面，通过干法刻蚀，由于AAO模板的阻挡，孔的位置将被刻蚀并形成复写了AAO孔排列的凹坑阵列。例如，在LED
芯片中的蓝宝石衬底或者芯片的薄膜刻蚀出凹坑，即可提高出光效率。采用超薄AAO在衬底表面制备金属或者其它材料阵列之后，除去AAO，再通过干法刻蚀，即可得到纳米柱阵列结构。
参考文献：Journal of Applied Physics, 2002, 91, 2544；Nano Lett., 2008, 8, 3046.
6.Ag纳米颗粒阵列的制备及其表面修饰
图6.Ag纳米颗粒阵列的制备及其表面修饰
2015年，德国伊尔梅瑙工业大学的Yong Lei研究组采用超薄AAO模板制备Ag纳米颗粒阵列，并对其表面进行修饰，以应用于
太阳能电池效率的提高，研究结果发表在**杂志《Advanced Energy Materials》上。其样品制备如图6所示,。他们所用的超薄双通AAO的孔间距约为100nm，孔径约为60nm，膜厚约为300nm，所沉积的Ag的厚度为42nm。将AAO模板转移到基底上后，采用电子束蒸发法沉积Ag，然后用胶带将AAO粘去，获得Ag纳米颗粒阵列，然后采用ALD法在Ag颗粒表面包裹不同厚度的TiO2，通过TiO2包裹层厚度的调控，进而调控Ag纳米颗粒的表面等离激元性质，使其四极子振动峰与偶极子振动峰靠拢甚至重合，提高了Ag纳米颗粒本身的表面等离激元共振强度，使其对光的散射更加强烈，进而提高了太阳能电池的光生载流子产率。
参考文献:Adv. Energy Mater. 2015, 5, 1501654.
7.多铁性磁电纳米颗粒阵列的制备
图7.（a）BiFeO3/CoFe2O4/SrRuO3纳米点阵制备流程示意图。（b）纳米点阵的SEM图（c）三维AFM图以及（d）截面TEM图。部分AAO模板为有意保留。
多铁性磁电（Multiferroic magnetoelectric，ME）
复合材料在室温下就表现出较大的ME耦合效应，因此在很
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湖北 - 武汉
2024年12月27日 ~ 29日
