化学要求
参数
材料:纯钼99.95%Min
密度:≥10.2g/cc
熔点:2610ºC
导电性极佳、耐高温性、高熔点、高抗氧化性和耐腐蚀性。
原子序数:42
CAS编号:7439-98-7
原子质量:95.94[g/mol]
熔点:2620摄氏度
沸点:4639摄氏度
20°C时的密度:10.22[g/cm³]
晶体结构:体心立方
20°C下的线性热膨胀系数:5.2 × 10-6[m/(mK)]
20°C时的热导率:142[W/(mK)]
20°C时的比热:0.25[J/(gK)]
20°C时的电导率:17.9 × 106[S/m]
20°C时的比电阻:0.056[(Ωmm2)/m]
应用
钼溅射靶材可以在各种衬底上形成薄膜。这种溅射薄膜广泛应用于电子元件和电子产品,如目前广泛使用的TFT-LCD(薄膜晶体管-液晶显示器,薄膜晶体管-LCD)。显示器)、等离子显示器、无机发光二极管显示器、场发射显示器、薄膜
太阳能电池、
传感器、半导体器件和具有可调谐工作功能CMOS(互补金属氧化物半导体)的场效应晶体管门等。