本发明属于纳米硅粉制备技术领域，具体涉及一种高纯硅烷cvd法连续制备纳米硅粉的工业化方法。背景技术：在纳米材料技术领域，纳米硅粉在陶瓷材料、复合材料、催化材料、光电池以及生物材料等领域都具有巨大的潜在应用前景。随着新能源电动汽车长续航、快速充电的要求提出，发展新型高比容量、长循环寿命的负极材料体系已经成为锂离子电池研究领域的核心任务。在众多新型负极材料中，硅材料具有极高的理论比容量（4200mah/g）和丰富的地壳储量，是下一代锂离子电池理想的负极材料。经有关部门的初步测试，用高纯度纳米硅粉制备的硅/碳负极材料已显示出优良特性，是硅/碳负极材料的首选硅源。目前制作硅/碳负极材料的纳米硅粉主要采用机械球磨工业硅粉获得的，虽然该方法简单、成本低，但存在产品纯度低，基体缺陷多，耗时长，颗粒分布不均匀等缺点。更重要的是，机械球磨的纳米硅粉粒径不能达到100nm以下，因为球磨介质采用氧化锆，当纳米硅粉粒径低于100nm后，氧化锆的消耗显著加大，成本直线上升。因此机械球磨法生产的纳米硅粉在粒径尺度上具有局限性，不可能为硅/碳负极材料提供性能更为优良的纳米硅粉，而且球磨机的设备复杂，单台生产能力低，难于大批量生产。中国发明专利申请cn105705460a提出了纳米中空硅球的制备方法，采用纳米颗粒（碳酸盐和氧化物如碳酸钙、碳酸镁、碳酸锶、碳酸钡、三氧化二铝、氧化镁、氧化锌和二氧化硅）作为模板，放入流化床中，通入硅烷或氯硅烷进行化学气相沉积，采用合适的酸将纳米颗粒反应为可溶性盐和气体，最终获得中空结构的硅材料。但该工艺中可溶性盐溶液与纳米中空硅球的分离、颗粒团聚后的尺寸及硅壁厚度的控制均影响硅/碳负极材料性能，工业化技术难度高。中国发明专利申请cn10810161a提出一种纳米硅粉的制备方法，（1）向等离子发生器中引入硅烷，经电离分解，重新成核得到纳米硅颗粒；（2）纳米硅颗粒经过气固分离和冷却后得到纳米硅粉。但该方法用沉降难以实现硅粉的捕集，在氮气环境下有生成氮化硅的可能。中国发明专利cn100431954c采用连续的生产方法将至少一种汽化的或气态硅烷和任选的至少一种汽化的或气态的掺杂物质以及惰性气体引入反应器并在那里将组分混合，通过能量输入造成混合物发生反应，冷却反应混合物并将反应产物以粉末形式从气体物质中分离。但该方法生产方法复杂，成本高。技术实现要素：本发明的目的是为了克服现有
声明：
“高纯硅烷CVD法连续制备纳米硅粉的工业化方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
322
编辑：中冶有色网
来源：河南硅烷科技发展股份有限公司
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年07月09日 ~ 11日 
