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沟槽式MOSFET的制造方法

1160   编辑：管理员   来源：中冶有色网  
2023-03-19 09:37:11
本发明提供一种沟槽式MOSFET的制造方法，通过在形成沟槽后去除抗反射涂层之前，先在所述沟槽的侧壁和底部上形成一层氧化硅保护层，然后再使用加热至一定温度的磷酸来腐蚀去除抗反射涂层，可以避免所述磷酸对所述沟槽侧壁和底部造成损伤；在去除抗反射涂层后，去除所述氧化硅保护层，而后在所述沟槽内形成的栅氧化层具有较高的质量，在测试或使用的过程中不会出现破损而形成栅极与源极的泄露通道，进而使得整个沟槽式MOSFET器件失效的问题。
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“沟槽式MOSFET的制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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