本发明公开了一种硅片薄膜的生长方法,包括:测得一控制硅片中央位置与周边位置的薄膜厚度比;利用所述厚度比在硅片上进行第一次薄膜生长;在第一次生长的薄膜上进行光刻胶旋涂;利用硅片周边曝光系统对硅片周边位置进行曝光,经显影后将部分光刻胶去除;通过刻蚀将硅片部分薄膜去除;去除剩余的光刻胶后,利用所述厚度比进行第二次薄膜生长,通过两次薄膜生长使薄膜达到要求的厚度。本发明所述硅片薄膜的生长方法,能使硅片上生长的薄膜其中央位置和周边位置的薄膜厚度一致,减少硅片周边
芯片的失效率,提高产品的成品率。
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