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电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置

893   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:37:11
本发明提供了电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置,属于SiC MOSFET的阈值电压恢复领域,方法包括:将待恢复的SiC MOSFET裸芯片固定,且将待恢复的SiC MOSFET裸芯片的各电极引出;对待恢复的SiCMOSFET裸芯片进行若干次连续电子辐照;电子辐照后,测量待恢复的SiCMOSFET阈值电压,当实际阈值电压与健康阈值电压相比较,若两者相等,则停止对待恢复的SiC MOSFET裸芯片的电子辐照;否则,继续对待恢复的SiC MOSFET裸芯片进行电子辐照;本发明实现了失效SiC MOSFET的回收再利用。
声明:
“电子辐照下SiC MOSFET阈值电压恢复方法及装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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