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基于SiC MOSFET损耗模型的开关过热保护方法

962   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:37:11
本发明公开了基于SiC MOSFET损耗模型的开关过热保护方法,开关为SiC MOSFET,包括以下步骤:构建所述SiC MOSFET的损耗模型,通过采集所述SiC MOSFET的采样电信号,估算所述SiC MOSFET的损耗;基于器件损耗和稳态热网络,通过采集高速/超高速电机控制器上开关器件的散热器的表面温度,估算SiC MOSFET的结温,并与预设的保护阈值进行比较,根据比较结果,对SiC MOSFET进行过热保护;系统包括DSP控制芯片、栅极驱动芯片、三相两电平逆变器、信号采样电路、散热及测温模块,DSP控制芯片用于执行开关过热保护方法;本发明避免器件因过热而失效甚至发生爆炸,危害系统的安全运行。
声明:
“基于SiC MOSFET损耗模型的开关过热保护方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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