一种压接式IGBT模块多物理场耦合仿真方法,包括以下步骤:步骤一、通过ANSYS simpleror计算压接式IGBT模块的集电极平均电流;步骤二、在ANSYS Maxwell中计算压接式IGBT模块随温度变化的发热功率;步骤三、在ANSYS steady‑state thermal中计算压接式IGBT模块的内部温度分布;步骤四、在ANSYS steady‑state mechanical中计算压接式IGBT模块内部应力分布。本发明能够清晰地描述各物理场间的耦合关系,得到IGBT模块实际运行中内部的温度分布以及应力分布状态,从而预测出模块内部最易失效的部分。
声明:
“压接式IGBT模块多物理场耦合仿真方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)