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半导体器件及其形成方法

1143   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:20:07
一种半导体器件及其形成方法,所述形成方法可以包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括芯片区以及切割道区;在所述半导体衬底的表面形成顶层金属互联结构;形成钝化层,所述钝化层覆盖所述顶层金属互联结构,所述切割道区的钝化层高于所述芯片区的钝化层;对所述钝化层进行刻蚀,以暴露出所述芯片区和切割道区内的顶层金属互连结构。本发明方案有助于避免引线落在接地的测试键上,降低芯片发生短路失效的可能性。
声明:
“半导体器件及其形成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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