一种半导体器件及其形成方法,所述形成方法可以包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括
芯片区以及切割道区;在所述半导体衬底的表面形成顶层金属互联结构;形成钝化层,所述钝化层覆盖所述顶层金属互联结构,所述切割道区的钝化层高于所述芯片区的钝化层;对所述钝化层进行刻蚀,以暴露出所述芯片区和切割道区内的顶层金属互连结构。本发明方案有助于避免引线落在接地的测试键上,降低芯片发生短路失效的可能性。
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