合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 失效分析技术

> 半导体器件及其形成方法

半导体器件及其形成方法

876   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:20:05
一种半导体器件及其形成方法,所述形成方法可以包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括芯片区以及切割道区;在所述半导体衬底的表面形成顶层金属互联结构;形成钝化层,所述钝化层覆盖所述顶层金属互联结构,所述切割道区的钝化层高于所述芯片区的钝化层;对所述钝化层进行刻蚀,以暴露出所述芯片区和切割道区内的顶层金属互连结构。本发明方案有助于避免引线落在接地的测试键上,降低芯片发生短路失效的可能性。
声明:
“半导体器件及其形成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
失效分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记