本发明提供了一种多
芯片模块,包含主裸芯片及串行闪存裸芯片。主裸芯片包含内建自测试控制器及串行闪存控制器。内建自测试控制器产生写命令以将第一数据写入串行闪存裸芯片的存储器位置,产生读命令以从串行闪存裸芯片的存储器位置读出第二数据,以及比较第二数据与第一数据,以判断存储器位置是否有缺陷,以产生所述串行闪存裸芯片的失效地址信息。串行闪存控制器耦接至内建自测试控制器,根据写命令及读命令访问串行闪存裸芯片。本发明提供的多芯片模块,可通过判断多芯片模块的故障源,来促进多芯片模块的制造及质量控制。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)