本发明介绍一种增强FLASH存储器可靠性的方法,涉及应对上层应用对FLASH存储器页的访问请求,通过建立FLASH映射表,在映射表中查找访问页对应的实际地址,访问该实际地址;访问后,检查硬件提供的ECC校验寄存器,如果该寄存器的值为0,则表示访问成功;如果该寄存器的值为1,则表示存在ECC1bit错误并被纠错,此错误作为换页条件,进行换页操作。换页时,在映射表中按规则找到可用冗余区的页地址,如果冗余区耗尽,FLASH存储器可靠性失效,否则使用该冗余区,并更新FLASH映射表信息,完成换页操作。本发明介绍的方法,可以通过建立FLASH映射表,配置FLASH存储器冗余区大小,动态提升FLASH存储器的可靠性,解决不同用户对FLASH存储器可靠性的需求,提高开发效率。
声明:
“增强FLASH存储器可靠性的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)