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监控低温快速热工艺的方法

900   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:02:34
本发明提供一种监控低温快速热工艺的方法,利用在晶片上形成一包含有一硅化物层,一厚度为200钴金属层与一厚度为200氮化钛层的监控层,再通过测量监控层的电阻值来监控该低温快速热工艺的稳定性。即可得到该低温快速热工艺的效果,且解决了现有使用厚度为100的钴金属层容易因为晶片表面状态而发生监控失效的缺点。
声明:
“监控低温快速热工艺的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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