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提高GaN HEMT退火成功率的方法

1118   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:02:32
本发明涉及一种提高GaN HEMT退火成功率的方法,属于半导体器件技 术领域。所述方法包括:测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线;根据测得 的肖特基反向特性曲线,绘制以ln|I|为纵坐标,Vr1/4为横坐标的电流电压 曲线;根据位于小于器件阈值电压区域内的电流电压曲线形状,判断是否对 GaN HEMT进行退火。本发明通过根据肖特基反向特性曲线绘制的电流电压曲 线,对GaN HEMT退火后其直流特性能否上升进行判断,从而选择性地对器 件进行退火,以降低退火后器件失效的数量,提高器件的退火成功率,同时 节约了成本。
声明:
“提高GaN HEMT退火成功率的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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