本发明涉及一种提高GaN HEMT退火成功率的方法,属于半导体器件技 术领域。所述方法包括:测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线;根据测得 的肖特基反向特性曲线,绘制以ln|I|为纵坐标,Vr1/4为横坐标的电流电压 曲线;根据位于小于器件阈值电压区域内的电流电压曲线形状,判断是否对 GaN HEMT进行退火。本发明通过根据肖特基反向特性曲线绘制的电流电压曲 线,对GaN HEMT退火后其直流特性能否上升进行判断,从而选择性地对器 件进行退火,以降低退火后器件失效的数量,提高器件的退火成功率,同时 节约了成本。
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