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CMOS器件极限低温特性评价方法

1169   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 09:01:44
本发明提供了一种CMOS器件极限低温特性评价方法，包括以下步骤：步骤1：确定被测CMOS器件与测试参数；步骤2：搭建极限低温测试平台；步骤3：开展常温测试与极限低温测试；步骤4：确定CMOS器件极限低温下的关键参数；步骤5：建立以关键参数表征的CMOS器件应力强度干涉模型；步骤6：计算CMOS器件极限低温失效概率。该方法考虑到在极限低温环境下CMOS器件会出现载流子冻析效应，造成器件的性能参数漂移甚至失效，搭建了一套极限低温测试平台对CMOS器件开展极限低温测试，并根据测试结果，使用应力强度干涉模型评价CMOS器件的极限低温特性，计算出CMOS器件极限低温下的失效概率，此方法弥补了CMOS器件低温测试及评价方面的技术空白，且利于推广实现。
声明：
“CMOS器件极限低温特性评价方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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