本发明提供了一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法,包括:将待测试样品处理到钨栓塞层;使用聚焦离子束机台对处理之后的待测试样品的失效区块进行标记;通过纳米点针台给台阶区钨栓塞施加一定的电压,找出阵列区字线层与字线层之间的或字线层与源极之间的失效路径;使用聚焦离子束机台,在失效的字线层对应的台阶区钨栓塞处引出线路,然后在线路的末端沉积金属垫体;通过微光显微镜给金属垫体施加一定的电压,从而突出失效处的热点信号;在失效点处标记激光标记;使用聚焦离子束机台在激光标记处进行剖面切削,同时观察失效点,制备透射电子显微镜试片;以及使用透射电子显微镜对试片进行表征。本发明的方法能够快速实现对字线层短路点的定位和表征。
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