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用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法

881   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:01:44
本发明提供了一种用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法,包括:将待测试样品处理到钨栓塞层;使用聚焦离子束机台对处理之后的待测试样品的失效区块进行标记;通过纳米点针台给台阶区钨栓塞施加一定的电压,找出阵列区字线层与字线层之间的或字线层与源极之间的失效路径;使用聚焦离子束机台,在失效的字线层对应的台阶区钨栓塞处引出线路,然后在线路的末端沉积金属垫体;通过微光显微镜给金属垫体施加一定的电压,从而突出失效处的热点信号;在失效点处标记激光标记;使用聚焦离子束机台在激光标记处进行剖面切削,同时观察失效点,制备透射电子显微镜试片;以及使用透射电子显微镜对试片进行表征。本发明的方法能够快速实现对字线层短路点的定位和表征。
声明:
“用于快速定位三维存储器阵列区短路的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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