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半导体器件和制作方法

762   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:01:26
本申请提供了一种半导体器件和制作方法。该半导体器件包括:衬底;第一绝缘层,位于衬底的表面上;电极层,位于第一绝缘层的远离衬底的表面上;第二绝缘层,位于电极层的远离第一绝缘层的表面上,第二绝缘层具有间隔设置的多个通孔,各通孔使得电极层的部分表面裸露,第二绝缘层的材料和/或第一绝缘层的材料包括非晶碳化硅。该半导体器件中第一绝缘层的材料和/或第二绝缘层的材料为非晶碳化硅,该材料可以有效防止由于海水腐蚀造成的器件失效的问题,极大的提高了半导体器件的使用寿命。此外,碳化硅对于强酸强碱等强腐蚀性溶液,也有很好的抗腐蚀性,可以较好的满足海水原位检测的应用。
声明:
“半导体器件和制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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