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半导体器件和制作方法

833   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 09:01:26
本申请提供了一种半导体器件和制作方法。该半导体器件包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底的表面上；电极层，位于第一绝缘层的远离衬底的表面上；第二绝缘层，位于电极层的远离第一绝缘层的表面上，第二绝缘层具有间隔设置的多个通孔，各通孔使得电极层的部分表面裸露，第二绝缘层的材料和/或第一绝缘层的材料包括非晶碳化硅。该半导体器件中第一绝缘层的材料和/或第二绝缘层的材料为非晶碳化硅，该材料可以有效防止由于海水腐蚀造成的器件失效的问题，极大的提高了半导体器件的使用寿命。此外，碳化硅对于强酸强碱等强腐蚀性溶液，也有很好的抗腐蚀性，可以较好的满足海水原位检测的应用。
声明：
“半导体器件和制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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