本发明提供一种可变电阻随机存取存储器,通过修复失效的存储单元来抑制性能衰退。本发明的可变电阻随机存取存储器包括存储器阵列、行选择电路、列选择电路、控制器、错误检查校正电路、错误比特旗标暂存器,以及错误比特地址暂存器。存储器阵列包括多个存储单元。列选择电路包括感测放大器以及写入驱动/读取偏压电路。错误比特旗标暂存器于写入操作存储存在/不存在的错误比特。错误比特地址暂存器存储错误比特的地址。当预定事件发生時,控制器修复错误比特。
声明:
“可变电阻随机存取存储器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)