本发明提供一种判断半导体激光器
芯片光学灾变类型的方法,解决现有半导体激光器芯片COBD和COMD的判断成本较高、判断时间较长、生产效率较低的问题。该方法包括:步骤一、设置加载电流;步骤二、将加载电流加载在半导体激光器芯片上;步骤三、采集半导体激光器芯片的电流‑功率曲线、电流‑电压曲线;步骤四、若电流‑功率曲线突然下降,同时,电流‑电压曲线突然上升,则判断芯片的光学灾变为COMD;若电流‑功率曲线突然下降,同时,电流‑电压曲线突然下降,则判断芯片的光学灾变为COBD。本发明方法无需专业设备,只需采集测试过程中的电流、功率值和电压值,即可进行COBD和COMD的判断,检测设备简单、成本较低,只需普通技术人员即可实现失效的判断。
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