本发明公开了非接触式判断
半导体材料导电类型的方法。现有方法在测试后会造成半导体材料表面损坏。本发明方法在待测半导体晶片表面上方布置测量电极和参考电极,电极为透明导电玻璃,导电面朝下;两个电极的导电面分别接接运算放大器的同向和反向输入端;测量电极上方设置加热用光源。首先关闭光源,调节运算放大器输出电压为0,然后开启光源加热晶片局部表面,当运算放大器有信号输出,关闭光源;3~5秒后,检测运算放大器的输出电压极性:如果极性为正,则半导体材料为P型;如果极性为负,则半导体材料为N型。本发明方法避免了样品损伤,操作简单,易实现自动化,同时避免半导体材料因受热而进入本征激发状态,导致判断失效或者错误判断。
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