本发明公开了一种用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法,包括以下步骤:第一步,将样品倒置,放入质量百分比为49%的氢氟酸中浸泡2.5±0.5分钟;在浸泡的同时,每30秒用去离子水冲洗之后,再用氮气枪吹一下样品表面;第二步,如N型MOS管失效,将样品在第一混酸中浸泡5~8秒;如P型MOS管失效,将样品在第二混酸中浸泡30~35秒;第三步,确认腐蚀结果,找出具体的失效模式。本发明针对不同的MOS管,使用不同的混酸来有效、清楚地显现AA结构上的缺陷,能够提高失效分析结果的准确性。
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