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用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法

620   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:46
本发明公开了一种用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法,包括以下步骤:第一步,将样品倒置,放入质量百分比为49%的氢氟酸中浸泡2.5±0.5分钟;在浸泡的同时,每30秒用去离子水冲洗之后,再用氮气枪吹一下样品表面;第二步,如N型MOS管失效,将样品在第一混酸中浸泡5~8秒;如P型MOS管失效,将样品在第二混酸中浸泡30~35秒;第三步,确认腐蚀结果,找出具体的失效模式。本发明针对不同的MOS管,使用不同的混酸来有效、清楚地显现AA结构上的缺陷,能够提高失效分析结果的准确性。
声明:
“用于显现MOS器件的AA结构缺陷的腐蚀方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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