本发明公开了一种自适应闪存写入操作控制方法及电路,该方法包括如下步骤:步骤一,当处理写入操作时,对两个参考单元的阈值电压进行检测;步骤二,将检测的阈值电压与不同参考阈值比较,根据比较结果判断当前行的阈值范围,从而取得当前行所处状态,继而判断相应的预编程,擦除,渐进擦除或编程操作,本发明可自适应的对闪存对应行进行擦除或写入操作,有效的防止对存储单元的过度擦除导致的过饱和失效,同时针对擦除不足的行,通过渐进式擦除机制,防止因擦除不足造成的闪存失效。
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