本发明涉及一种样品去层次方法,用于半导体
芯片的失效分析,包括以下步骤:步骤S1、所述半导体芯片具有一目标区域;步骤S2、研磨所述半导体芯片,并停止于位于所述层间介质层上表面的所述金属层;步骤S3、形成一保护膜层,所述保护膜层覆盖所述目标区域的正上方的所述金属层的上表面;步骤S4、继续研磨所述半导体芯片,去除位于所述保护膜层下方的所述金属层之外的所述金属层;步骤S5、去除所述保护膜层;步骤S6、去除所述金属层;步骤S7、去除所述半导体衬底上表面的其余物质,露出所述半导体衬底。其优点在于,设置一层保护膜层,避免出现化学试剂与金属层反应,保障半导体衬底不被损伤以及污染;有效提高失效分析的准确性,提高工作效率。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)