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基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法

839   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:38
本发明公开了一种基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法,测试MOS晶体管的失效时间数据,经统计分析获得累积分布函数估计值和概率密度函数估计值,绘制累积分布函数曲线和概率密度函数曲线,以其为拟合标准,获得Weibull分布模型下的概率密度函数拟合曲线和累积分布函数拟合曲线,判断函数拟合曲线和绘制得到的函数曲线的相对误差是否在预定值之内,记录Weibull分布模型中的模型参数,得到失效时间和模型参数的查表文件的模型库,得到Weibull分布下MOS晶体管的可靠性统计模型。
声明:
“基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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