本发明公开了一种结合工艺及可靠性框图的继电器类单机贮存可靠性评估方法,所述方法将从厂家调研的工艺数据注入到所建立的继电器有限元仿真模型中,得到其输出特性初始分布特性;通过分析继电器类单机实际出现的失效模式及失效机理,建立基于失效物理的退化模型,结合继电器初始分布特性及加速贮存退化试验实测数据,得到具有分布特性的继电器输出特性退化模型;将失效阈值带入继电器输出特性退化模型中,得到继电器贮存可靠度数据,并带入所建立的继电器类单机贮存可靠性框图中,实现对继电器类单机贮存可靠度的评估。本发明解决了小子样问题下继电器类单机贮存可靠性评估准确度低的问题。
声明:
“结合工艺及可靠性框图的继电器类单机贮存可靠性评估方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)