本发明公开了一种定位半导体
芯片长距离金属线间缺陷的方法,包括步骤:1)对芯片进行研磨剥层处理,暴露待分析金属线的至少端头部分;2)在待分析金属线的端头附近,且与金属线没有交接的区域,垫积出与各条待分析金属线对应的金属垫;3)在待分析金属线的端头和对应的金属垫之间,垫积出用于连接端头和金属垫的金属条;4)在金属垫上扎针,进行光致阻抗变化测试,定出缺陷在金属线上的具体位置。该方法通过结合使用一系列的失效分析技术,实现了对特定长距离金属线间缺陷的更快速、准确和有效的定位。
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