本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种提高透射电镜图像质量的平面样品制备方法。首先通过电性测试方法获取失效点位置,之后根据失效点位置于待测样品正面形成第一开口、于待测样品背面形成第二开口;并继续将待测样品放置于沸腾的胆碱配比溶液中保持5-10min,以彻底去除第二开口底部的硅衬底;然后通过刻蚀工艺去除第一开口下方的绝缘层和第二
多晶硅层;最后利用透射电镜图像来分析失效点。通过本方法使失效区域多晶硅透射电镜图像不受非缺陷区域的干扰,得到一个较为均匀清晰的待测样品的透射电镜图像,从而更容易发现缺陷,以进一步提高器件缺陷分析的效率。
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