本发明公开了一种DRAM的修复方法,包括以下步骤:1)DRAM
芯片测试项分类,分为SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项;2)对SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项产生的失效地址分别存储;3)SA缺陷测试项的失效地址分析并进行修复;4)将步骤2)中DRAM的其它测试项产生的失效地址和按照步骤3)处理后的SA缺陷测试的失效地址进行合并;5)对合并后的失效地址进行读取;6)对读取的失效地址进行修复;6)最后产生DRAM修复方案。通过分析SA缺陷测试项的失效地址的处理及修复,将开放式位线DRAM结构中有潜在缺陷的SA同时替换,有效保证了颗粒级测试良率的稳定,使得芯片修复可靠性的提升,同时降低了芯片的DPM。
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