本发明涉及一种半导体器件结构,半导体器件结构包括待测金属互连线,以及对待测金属互连线进行短路、断路失效分析的测试结构,测试结构包含两个梳状结构和一个蛇形金属线,分别属于两个梳状结构的指型结构和蛇形金属线均与待测金属互连线位于同一平面内,且所有指型结构通过内部填充有导电材料的若干通孔分别与两个柄部相连。对本发明的测试结构进行定位短路、断路失效位置时,首先剥层去除柄部,从而断开同一组指型结构之间的连接,然后利用双束显微镜对测试结构进行PVC分析,只有与蛇形金属线发生短路指型结构显现出高亮状态,因此能够立即将短路失效位置定位到某一个具体的指型结构,进而可以提高失效分析的效率。
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