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SiC上的高电压功率半导体器件

1030   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:36
具有50–100μm厚度的4H?SiC磊晶片在4度偏轴衬底上生长。通过检测所述磊晶片，获得2–6cm-2范围内的表面形态缺陷密度。在这些磊晶片上获得2–3μs范围内的一致载流子寿命。证实了所述磊晶片中非常低的BPD密度，BPD密度低至低于10cm-2。使用具有50-100μm厚度的外延晶片制造二极管。高电压测试证实了接近4H-SiC的理论值的闭锁电压。在50μm厚外延膜上制造的器件中实现了高达8kV的闭锁电压，并且在80μm厚膜上制造的器件中获得了高达10kV的闭锁电压。失效分析证实了三角形缺陷，其由外延过程中存在的表面损伤或颗粒形成，是致命缺陷并造成所述器件在反向偏置操作中失效。另外，在JBS二极管的高闭锁电压下的漏电流显示与螺旋位错密度无关联。还观察到，外延层中的基面位错的主要来源源于晶体生长过程。
声明：
“SiC上的高电压功率半导体器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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