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可监测温度的IGBT功率半导体模块结构

1082   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:35
一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构,基板上端中部通过锡膏烧结有主DBC板,主DBC板上通过锡膏烧结有IGBT芯片和FRD芯片,IGBT芯片和FRD芯片之间通过铝线超声键合,主DBC板上端设有功率端子触点;基板上端一侧通过锡膏烧结有第一辅助DBC板,辅助DBC板上端承载有热敏电阻,第一辅助DBC板上端还设有与热敏电阻电连接的温度信号输出触点;基板上端另外一侧通过锡膏烧结有第二辅助DBC板,第二辅助DBC板上端设有信号端子触点;引线端子与温度信号输出触点电连接,信号端子与信号端子触点电连接,功率端子与功率端子触点电连接。本技术方案能够监测IGBT模块芯片的结温,避免芯片温度过高引起的失效。
声明:
“可监测温度的IGBT功率半导体模块结构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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