一种可监测温度的IGBT功率半导体模块结构,基板上端中部通过锡膏烧结有主DBC板,主DBC板上通过锡膏烧结有IGBT
芯片和FRD芯片,IGBT芯片和FRD芯片之间通过铝线超声键合,主DBC板上端设有功率端子触点;基板上端一侧通过锡膏烧结有第一辅助DBC板,辅助DBC板上端承载有热敏电阻,第一辅助DBC板上端还设有与热敏电阻电连接的温度信号输出触点;基板上端另外一侧通过锡膏烧结有第二辅助DBC板,第二辅助DBC板上端设有信号端子触点;引线端子与温度信号输出触点电连接,信号端子与信号端子触点电连接,功率端子与功率端子触点电连接。本技术方案能够监测IGBT模块芯片的结温,避免芯片温度过高引起的失效。
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