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SiC MOSFET模块全生命周期结温在线预测方法

992   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:25
本发明公开一种SiC MOSFET模块全生命周期结温在线预测方法,具体按照以下步骤实施:步骤1,采用全新的SiC MOSFET模块做功率循环直到模块完全老化失效;在功率循环期间采样该SiC MOSFET模块的电气参数作为数据集;步骤2,建立SiC MOSFET模块结温预测模型,包括依次连接的第一BP神经网络模型和第二BP神经网络模型;步骤3,采用数据集对进行模型训练;步骤4,将训练好的SiC MOSFET模块结温预测模型移植到FPGA中,在被测的SiC MOSFET模块实际运行中,输入电流Id,实时输出对应的结温Tc。本发明能够准确得到SiC MOSFET模块的结温,确保带模块安全稳定运行。
声明:
“SiC MOSFET模块全生命周期结温在线预测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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