基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法及采用该方法的MOSFET剩余寿命预测方法,涉及半导体退化评估及寿命预测领域。解决了无法实时在线评估MOSFET退化状态的问题,同时满足了对MOSFET的剩余寿命预测方法的需求。基于米勒平台电压的以MOSFET开通波形中的米勒平台电压作为敏感特征参数的评估方法:将MOSFET的米勒平台电压作为评估器件退化状态的参数。采用基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法获得MOSFET退化模型,再利用粒子滤波算法对MOSFET退化模型的参数进行修正与更新,并得到新的MOSFET退化模型,从而获得MOSFET当前状态距失效阈值的时间差,实现对MOSFET的剩余寿命预测。本发明适用于半导体的退化评估及寿命预测。
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“基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法及采用该方法的MOSFET剩余寿命预测方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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